晶圆级三维集成电路关键技术和研究进展

• 作者: 张宁
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 3D集成电路 硅基板穿孔 先通孔和后通孔
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN403
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.05.016

摘要

传统的集成电路受二维空间的限制,难以延续摩尔定律.高性能、小外形、低成本的电子产品的市场需求越来越高.作者根据集成电路发展的需求,介绍了三维集成(Three Dimensional Integrated Circuits,3D IC)的重要步骤,并分析了其优势和存在的挑战.重点介绍了硅基板穿孔(Through Silicon Via,TSV)关键技术,并探讨了先通孔(Via-first)和后通孔(via-last)工艺流程的特点.并根据未来电子产品发展的方向和市场的需求,对能够延续摩尔定律的三维集成电路做出了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宁	合肥工业大学信息工程系	11	21	3.0	4.0