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摘要:
基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种面向低速率低功耗应用的2.4 GHz射频前端电路,包含2个单刀双掷开关、1个功率放大器和1个低噪声放大器.采用栅衬浮动电压偏置技术对传统单刀双掷开关进行了改进,以提高其线性度;功率放大器采用两级放大结构,对全集成的低噪声放大器进行了噪声优化;集成了输入输出匹配网络,采用了到地电感,以提高输入输出端的ESD性能.在接收模式时,电路的静态电流为10.7 mA,增益为11.7 dB,IIP3为2.1 dBm,噪声系数为3.4dB.在发射模式时,电路的静态电流为17.4 mA,功率增益为17.7 dB,输出P1dB为20 dBm,饱和功率为21.4 dBm,最大PAE为23.8%,在输出功率为20 dBm时的频谱满足802.15.4协议要求.
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文献信息
篇名 一种2.4GHz CMOS射频前端电路
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 射频前端 低噪声放大器 单刀双掷开关 功率放大器 全集成
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 609-613
页数 5页 分类号 TN432
字数 1587字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶甜春 中国科学院微电子研究所 200 911 14.0 18.0
2 钱敏 中国科学院微电子研究所 10 61 5.0 7.0
4 甘业兵 中国科学院微电子研究所 16 43 4.0 5.0
6 乐建连 中国科学院微电子研究所 5 7 2.0 2.0
12 陈浪 中国科学院微电子研究所 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
射频前端
低噪声放大器
单刀双掷开关
功率放大器
全集成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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