GaSb单晶片CMP工艺的研究

• 作者: 刘卫丹 徐世海 朱磊 李晖 边子夫 陈阳 高飞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 pH值 氧化剂
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 797-800
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.11.012

摘要

主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP).使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验.在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响.通过实验得出,最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下,得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片.通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷.经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.257 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈阳	中国电子科技集团公司第四十六研究所	12	57	3.0	7.0
2	高飞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	4.0
3	李晖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	18	3.0	3.0
4	徐世海	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	5	1.0	1.0
5	朱磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	6	2.0	2.0
6	刘卫丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	1	1.0	1.0
7	边子夫	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	1	1.0	1.0