高压IGBT模块局部放电研究现状

• 作者: 刘曜宁 王昭
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 电气绝缘 综述 局部放电 高压 封装
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 12-18
• 页数: 7页
• 分类号: TM215.92
• 字数: 3562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.10.002

摘要

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块一直朝着更高耐压和更大电流密度的方向发展,因模块内部电气绝缘和局部放电引起的问题也越来越明显.在高电压IGBT模块封装中,通常使用硅凝胶和环氧树脂来对模块进行灌注和密封,以满足其高电场承受能力,提升整个模块的绝缘性能和局部放电表现.目前很多国内外学者已经在这方面进行一系列研究,主要目的在于优化IGBT模块内部的电场分布.本文重点介绍目前研究的几种可以改善IGBT内部电场分布状态的方法,并对局部放电可靠性的提升方法进行总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昭		6	10	1.0	3.0
2	刘曜宁		2	1	1.0	1.0