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NTD区熔硅单晶品质改善方法研究
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摘要：
本文从原始单晶生长、中子辐照、热处理等过程分析了影响NTD(中子辐照嬗变掺杂)区熔硅单晶品质的因素,并结合实际情况得出了杂质、中照反应堆类型、热处理工艺等对单晶电阻率和少子寿命产生影响的结论,提出了改善产品品质的一些方法.
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研究主题发展历程
节点文献
NTD
电阻率
少子寿命
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
大陆桥视野
主办单位：
新疆电子音像出版社
大陆桥视野杂志社
出版周期：
半月刊
ISSN：
1671-9670
CN：
65-1233/F
开本：
大16开
出版地：
乌鲁木齐市西北路1093号
邮发代号：
58-5
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
18758
总下载数（次）
28
总被引数（次）
5719
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