InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化

• 作者: 刘应军 李灯熬 罗飚 贾华宇 赵霞飞 马珺
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱激光器 InGaAsP/InP 有源区结构 量子阱个数
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 激光器件与元件
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14016/j.cnki.jgzz.2017.05.006

摘要

为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析.本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法.在势阱层组分为In0.76Ga024As0.81P0.19,厚度为5nm;势垒层组分为In0.751Ga0.249As0.539P0.461,厚度为10nm时,激光器的各项性能参数达到最优.在此基础上,研究量子阱个数对激光器平均载流子浓度、输出光功率和阈值电流的影响.采用ALDS软件进行仿真,对比量子阱个数分别为5、6、7、8、9、10、11时,激光器的各项输出参数.对不同量子阱个数的激光器,分别进行结构和材料求解,并进行阈值、稳态、分布和光谱、小信号以及噪声分析.仿真结果表明,当量子阱个数为8时,在偏置电流为150mA,激光器温度为300K情况下,激光器的平均载流子浓度达到最大值0.745×1018/cm3,输出光功率达到最大值28.8mA,阈值电流达到最低值15.7mA,阈值电流密度达到最低值0.8KA/cm2,边模抑制比达到最高值22.13dB,驰豫振荡频率达到最高值13.8GHz,P-I曲线及斜率效率达到最优值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李灯熬	太原理工大学物理与光电工程学院	76	285	7.0	12.0
2	马珺	太原理工大学物理与光电工程学院	39	174	7.0	11.0
3	贾华宇	太原理工大学物理与光电工程学院	20	49	4.0	5.0
4	罗飚		14	21	3.0	3.0
5	刘应军		5	7	1.0	2.0
6	赵霞飞	太原理工大学物理与光电工程学院	2	1	1.0	1.0