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摘要:
通过控制氧化的方法对制备敷铜陶瓷基板(DBC基板)的铜层进行预氧化处理.研究了预氧化温度、氧分压对铜箔氧化层物相和厚度的影响,采用拉曼光谱仪测试铜箔氧化膜物相组成,采用紫外-可见分光光度计测试铜箔氧化膜的吸光度,确定了铜箔表面氧化物层吸光度与厚度的关系.结果表明:预氧化温度在400~800 ℃,氧分压控制在100×10–6~700×10–6,铜箔表面生成一层氧化亚铜(Cu2O)层;在过高的预氧化温度和氧分压条件下,铜箔表面就会生成CuO物相,而且氧化膜层变厚,表面疏松、局部出现氧化膜脱落,不利于DBC基板的制备.当氧分压为500×10–6,预氧化时间为1 h,温度为600 ℃时,铜箔表面可以获得均匀致密的Cu2O薄膜,并且氧化膜与基体Cu结合紧密,有效提高DBC基板的结合性能.
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文献信息
篇名 直接敷铜技术中铜箔预氧化层的检测与控制
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 直接敷铜法 氧化亚铜 氧化膜厚度 拉曼光谱 氧化增重 吸光度
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 69-74
页数 6页 分类号 TM206
字数 3710字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.02.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 傅仁利 南京航空航天大学材料科学与技术学院 55 577 15.0 21.0
2 栾时勋 南京航空航天大学材料科学与技术学院 2 0 0.0 0.0
3 朱海洋 南京航空航天大学材料科学与技术学院 2 0 0.0 0.0
4 刘贺 南京航空航天大学材料科学与技术学院 3 1 1.0 1.0
5 王彩霞 南京航空航天大学材料科学与技术学院 2 0 0.0 0.0
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电子元件与材料
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1982
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