InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触

• 作者: 倪海桥 吕红亮 张义门 张玉明 张静 牛智川
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 快速热退火 InAs/AlSb异质结
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 679-682,687
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 字数: 598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.007

摘要

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20 s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128 Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	129	835	15.0	21.0
2	张静	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	149	920	17.0	24.0
4	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
7	吕红亮	西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	18	88	5.0	9.0
8	倪海桥	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	8	1.0	1.0