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摘要:
高纯钽靶材作为芯片铜互连工艺扩散阻挡层的溅射源在大规模集成电路生产中被广泛应用.文章介绍了大尺寸高纯钽靶材的制备技术原理及工艺进展,并分析了钽靶材产品的国内外的市场现状及应用前景.
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文献信息
篇名 集成电路用大尺寸高纯钽靶材的制备工艺进展
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 制备工艺 钽 溅射靶材 大尺寸 扩散阻挡层
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 24-28
页数 5页 分类号 TN405|TG146
字数 4887字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨辉 浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院 356 3707 28.0 43.0
2 刘宁 浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院 4 29 3.0 4.0
4 姚力军 4 4 1.0 2.0
7 王学泽 1 4 1.0 1.0
8 袁海军 1 4 1.0 1.0
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
制备工艺
钽
溅射靶材
大尺寸
扩散阻挡层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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