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摘要:
面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅光子关键器件,并对相应器件的设计及工艺给出了最新的研究结果.基于以上关键硅光子器件进行了大规模光子集成,实现了片上集成的微波任意波形发生器,并集成了300多个光器件,包括高速调制、延迟线和热调等功能.面向数据通信研制了八通道偏振不敏感波分复用(WDM)接收器,解决了集成系统中的偏振敏感问题.
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文献信息
篇名 基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究
来源期刊 中兴通讯技术 学科 工学
关键词 硅光子技术 硅基光互连 大规模光子集成
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 专题:5G回传网络光电子器件技术
研究方向 页码范围 8-14
页数 7页 分类号 TN929.5
字数 5526字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-6868.2018.04.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 甘甫烷 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 5 0 0.0 0.0
2 武爱民 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 4 2 1.0 1.0
3 赵瑛璇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅光子技术
硅基光互连
大规模光子集成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中兴通讯技术
双月刊
1009-6868
34-1228/TN
大16开
合肥市金寨路329号凯旋大厦12楼
1995
chi
出版文献量(篇)
2060
总下载数(次)
1
相关基金
上海市自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://www.lawyee.net/Act/Act_Display.asp?RID=46696
项目类型:面上项目
学科类型:
论文1v1指导