电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列

• 作者: 任丁 李鑫 罗洁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 硅微尖阵列 倒棱台 微柱形成模型 HF阳极电化学腐蚀 TMAH各向异性湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN403
• 字数: 3210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.11.004

摘要

采用TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件.借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨.结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、 孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关.倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径.微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度.微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李鑫	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	83	245	7.0	13.0
2	罗洁	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	13	60	4.0	7.0
3	任丁	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0