增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展

• 作者: 李晓波 李路杰 王文军 白欣娇 袁凤坡
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 增强型 凹槽栅 反应离子刻蚀 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 762-767,774
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.10.011

摘要

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展,但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因.归纳了目前制备增强型器件的几种方法:p型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等,分析了采用凹槽栅结构实现增强型器件的原理及用于刻蚀凹槽的几种干法刻蚀技术.此外,讨论了目前实现凹槽栅的多种方法:AlN阻挡层、周期性等离子刻蚀、热氧化后湿法腐蚀、光辅助的电化学腐蚀以及选择性生长等,并分析了这几种方法制作凹槽栅的原理和不足之处.在此基础上,对制备凹槽栅工艺提出几点突破方向,只有不断提高增强型器件性能,才能使氮化镓器件在射频和电力电子等领域拥有更大的发展空间和应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文军		6	15	3.0	3.0
3	袁凤坡		7	16	2.0	3.0
5	白欣娇		2	4	1.0	2.0
10	李晓波		2	4	1.0	2.0
11	李路杰		1	3	1.0	1.0