浸没式光刻机对焦控制技术研究

• 作者: 孟璐璐 宗明成 段晨 范伟
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学设计 浸没光刻 对焦控制 误差 集成电路
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 仪器,测量与计量
• 页码范围: 187-192
• 页数: 6页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201838.0912002

摘要

随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米.基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究.根据系统结构分析出一系列误差源,研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式及其与总离焦误差的关系.研究结果表明:由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项,常规正态统计分布使用的3σ原则就无法满足99.7％的对焦成功率要求;在28,14,7 nm技术节点集成电路芯片制造过程中,采用3σ和4σ原则得到的浸没光刻工艺总对焦成功率之差分别为28.4％、55.1％、62.9％.为了达到99.7％的对焦成功率,浸没式光刻机对焦控制应采用4σ原则.