集成电路后段光刻胶去除技术进展

• 作者: 刘兵 彭洪修 陈东强
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 图形化工艺 光刻胶去除 工艺技术发展
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.008

摘要

光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一.随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战.结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂、羟胺类光刻胶去除剂、含氟类半水性光刻胶去除剂、双氧水类水性光刻胶去除剂先后成为市场主流.以集成电路图形化工艺发展为主线,对不同种类光刻胶去除剂进行概括介绍,并分析其优缺点,为中国光刻胶去除技术发展提供借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭洪修		1	2	1.0	1.0
2	刘兵		1	2	1.0	1.0
3	陈东强		1	2	1.0	1.0