脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

• 作者: 王淑芳 袁大超 郝建军 郭双 马跃进
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 铋铜硒氧外延薄膜 c轴取向 热电性能 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与可持续发展(一)——面向洁净能源的先进材料
• 页码范围: 152-155
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|O484
• 字数: 3863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/cldb.201901017

摘要

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响.在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]Bi-CuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO.电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ?cm,远低于相应的多晶块体材料.计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW?cm-1?K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马跃进	河北农业大学机电工程学院	107	808	16.0	23.0
2	郝建军	河北农业大学机电工程学院	91	659	16.0	21.0
3	王淑芳	河北大学物理科学与技术学院	16	24	3.0	4.0
4	郭双	河北大学物理科学与技术学院	3	0	0.0	0.0
5	袁大超	河北农业大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0