GaN功率器件预驱动芯片设计与封装集成

• 作者: 严鼎 孙伟锋 李冬冬 祝靖
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 栅极驱动 功率集成电路 封装集成技术
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 64-71
• 页数: 8页
• 分类号: TM492
• 字数: 3287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.64

摘要

氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件因其出色的导通与开关特性,能够实现系统高频化与小型化,有效提升系统功率密度.但是,增强型GaN功率器件由于其栅极可靠性问题,使其在电源管理系统中无法直接替换传统硅基功率MOSFET器件.为此,提出一种预驱动芯片,通过片内集成LDO与电平移位结构,实现兼容12～15 V输入,并输出5 V信号对GaN功率器件的栅极进行有效与可靠控制,达到兼容传统硅基功率器件应用系统的要求.此外,通过多芯片合封技术,将预驱动芯片与GaN功率器件实现封装集成,降低了寄生电感,使其应用可靠性进一步提升.