NiO/SiC异质结的光电特性

• 作者: 刘建达 胡丹丹 郭永刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镍(NiO) 异质结 磁控溅射 整流特性 光响应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 200-203,217
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.03.005

摘要

NiO是一种天然p型直接带隙半导体材料,首次采用磁控溅射的方法在n型4H-SiC(0001)衬底上淀积NiO薄膜,制作p-NiO/n-4H-SiC异质结.研究了氧气和氩气体积流量对NiO薄膜特性的影响,并研究了NiO/SiC异质结的光电特性.结果 表明:所制备的NiO薄膜为多晶结构,当氧气和氩气体积流量均为30 cm3/min时,NiO薄膜出现[200]晶向的择优生长,呈现p型导电,薄膜平整致密,粒径约为15 nm.采用Ni作为金属电极,J-V测试结果表明异质结具有较好的整流特性,开启电压约为1.4V,在13.5 mW的紫外灯照射下,异质结出现了光响应,开路电压Voc约为30 mV,光电流密度Jph为0.89mA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建达		2	1	1.0	1.0
2	胡丹丹		2	1	1.0	1.0
3	郭永刚		12	8	2.0	2.0