Cu薄膜上热氧化法制备CuAl2O4薄膜

• 作者: 刘伟 王利双
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu薄膜 CuAl2O4薄膜 离子束辅助沉积 热氧化法
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1017-1020
• 页数: 4页
• 分类号: TG
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.11.14

摘要

采用离子束辅助沉积方法在95％(质量比)Al2O3基板上制备Cu薄膜,利用热氧化法使Cu薄膜氧化,并与Al2O3基板反应,制备出CuAl2O4薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和X射线光电子能谱仪分别对CuAl2O4薄膜的结构、成分和微观形貌进行了表征.研究结果表明,大气环境下,热氧化温度低于1000℃时,薄膜主要成分为CuO,随着热氧化温度的提升,薄膜成分比例并无较大变化,但是薄膜晶粒在不断增大;热氧化温度为1000℃时,氧化后的Cu薄膜与Al2O3基板开始反应形成CuAl2O4晶体.当热氧化温度为1100℃时反应更加完全,形成纯度较高的CuAl2O4薄膜,且薄膜晶粒尺寸明显增大,薄膜表面Al元素含量增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	26	199	8.0	13.0
2	王利双	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	0	0.0	0.0