X射线光电子能谱法研究In0.53Ga0.47As基Er2O3薄膜的能带排列

• 作者: 姚博 徐海涛 方泽波 曾丽雅 朱燕艳 潘小杰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: Er2O3/In0.53Ga0.47As异质结 高k栅介质 分子束外延(MBE) X射线光电子能谱(XPS) 能带偏移
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 575-579
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.07.011

摘要

采用分子束外延(MBE)法在In0.53Ga0.47As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er2O3薄膜.台阶仪测得该Er2O3薄膜厚约10 nm.X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er2O3薄膜符合化学计量比.原子力显微镜测试结果显示,该薄膜表面平整.采用X射线光电子能谱同时测得Er 4d、In 3d和O1s的芯能级谱、Er2O3的价带谱以及O1s的能量损失谱,从而得到Er2O3的禁带宽度以及Er2 O3与In0.53Ga0.47As衬底之间的价带偏移和导带偏移,数值分别为(5.95±0.30) eV、(-3.01±0.10) eV和(2.24±0.30) eV.通过X射线光电子能谱方法得到了Er2O3/In0.53Ga0.47As异质结的能带排列.从能带偏移的角度来看,上述研究结果表明,Er2O3是一种非常有应用前景的In0.53Ga0.47As基栅介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波		15	18	2.0	3.0
2	朱燕艳		21	14	2.0	3.0
3	姚博		4	0	0.0	0.0
4	徐海涛		3	0	0.0	0.0
5	潘小杰		1	0	0.0	0.0
9	曾丽雅		1	0	0.0	0.0