微立体光刻压电陶瓷的形变预测与补偿研究

• 作者: 吴大伟 张园豪 陈韦岑
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微立体光刻 压电陶瓷 几何精度 形变补偿 压电性能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: “第十七届全国电介质会议暨第十九届全国电子元件会议” 论文专栏
• 页码范围: 77-82
• 页数: 6页
• 分类号: TM282
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.04.012

摘要

现有微立体光刻技术制备的压电陶瓷普遍存在密度小、 性能低、 几何精度难以精确控制等问题.本文通过设计陶瓷浆料各组分之间的成分比例,控制光固化参数和热处理工艺,建立几何形变的数学预测和补偿模型,制备了致密性高、 形状复杂的压电陶瓷,提高了压电陶瓷在光固化、 脱脂、 烧结过程中的几何精度.实验表明:当压电陶瓷(PZT-5H)浆料质量分数为75％时,坯体烧结后的密度为7.35 g/cm3;在2 kV/mm的极化电压下,压电常数d 33为600 pC/N,相对介电常数为2875,性能得到提升;经过几何形变补偿,压电陶瓷的几何精度可以提高80％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张园豪	南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	陈韦岑	南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	吴大伟	南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室	2	10	1.0	2.0