β-Ga2O3欧姆接触的研究进展

• 作者: 刁华彬 杨凯 罗军 赵超
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 欧姆接触 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 金属电极
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 681-690
• 页数: 10页
• 分类号: TN323.4|TN304.2|TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.09.001

摘要

近年来,随着氧化镓(Ga2O3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点.综述了β-Ga2O3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触.围绕采用低功函数金属、表面预处理、衬底掺杂和引入中间层的方法,阐述了目前国际上金属/β-Ga2O3欧姆接触的最新研究进展.总结了不同实验条件下可以获得的比接触电阻,目前可以获得的最低比接触电阻是4.6×10-6Ω·cm2.最后,预测未来金属/β-Ga2O3欧姆接触的主要研究方向是提高欧姆接触的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵超	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研究中心	35	208	9.0	13.0
5	罗军	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研究中心	51	222	8.0	12.0
9	杨凯	中国科学技术大学微电子学院	24	297	8.0	17.0
13	刁华彬	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研究中心	2	1	1.0	1.0