氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究

• 作者: 万云海 杨成绍 林亮 王章涛 邹志翔 黄寅虎
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化物半导体 薄膜晶体管液晶显示器 等离子体增强化学气相沉积法 刻蚀阻挡层
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 7-13
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193401.0007

摘要

为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系.通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO 2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析.发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化.而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化.结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万云海		1	1	1.0	1.0
2	邹志翔		1	1	1.0	1.0
3	林亮		1	1	1.0	1.0
4	杨成绍		1	1	1.0	1.0
5	黄寅虎		1	1	1.0	1.0
6	王章涛		1	1	1.0	1.0