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摘要:
X射线波带片是X射线显微成像系统中用于聚焦及成像的核心元件,提高波带片性能参数,更利于X射线显微成像技术的广泛应用.选择可精确控制厚度的原子层沉积(ALD)法结合聚焦离子束(FIB)切割法制备出大高宽比X射线波带片结构,即用原子层沉积法在光滑的钨丝表面交替沉积Al2O3/HfO2多层膜,其总层数为360,最外层膜宽度为10 nm.聚焦离子束的加速电压设定为30 kV,先利用束流为1 000 pA的离子束流将Al2O3/HfO2多层膜切割成设计厚度的薄片,再利用束流为350 pA的离子束流对切割的截面进行抛光,最后得到厚度为50 μm、最外层膜宽度为10 nm的大高宽比X射线波带片结构.
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文献信息
篇名 聚焦离子束切割法制备多层膜X射线波带片
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 原子层沉积(ALD) 聚焦离子束(FIB) X射线波带片 显微成像系统 大高宽比
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 加工、测量与设备
研究方向 页码范围 314-318
页数 5页 分类号 TH742
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2019.04.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 韩立 中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部 98 376 9.0 13.0
5 李艳丽 中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部 13 65 4.0 8.0
9 姚广宇 中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部 1 0 0.0 0.0
13 孔祥东 中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部 4 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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原子层沉积(ALD)
聚焦离子束(FIB)
X射线波带片
显微成像系统
大高宽比
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