基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展

• 作者: 卢健 张冬冬 张勇 曾庆锴 李彩
• 来源期刊: 环境技术
• 学科: 工学
• 关键词: NAND 总剂量 浮栅
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 104-109
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.5
• 字数: 4009字
• 语种: 中文

摘要

Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中.本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论.结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇		3	0	0.0	0.0
2	卢健		4	1	1.0	1.0
3	张冬冬		3	0	0.0	0.0
4	曾庆锴		2	0	0.0	0.0
5	李彩		2	0	0.0	0.0