SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析

• 作者: 丁新 叶雪荣 张开新 翟国富
• 来源期刊: 电器与能效管理技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET SPICE 1模型 仿真 LTspice
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 25-29,49
• 页数: 6页
• 分类号: TM46
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16628/j.cnki.2095-8188.2019.03.005

摘要

SiC MOSFET与Si MOSFET相比,具有耐高压、耐高温、频率快等诸多优点,得到了越来越广泛的应用.SPICE模型作为含SiC MOSFET电路仿真分析的基础,对其进行研究十分必要.以SPICE 1模型为例,介绍了基于LTspice的SiC MOSFET建模流程,通过MOS、体二极管、PCB寄生参数等建模过程,完成了SiC MOSFET SPICE 1模型的建立,并通过仿真分析验证了所建立模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟国富	哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所	280	2576	26.0	34.0
2	叶雪荣	哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所	56	265	9.0	13.0
3	张开新	哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所	5	5	2.0	2.0
4	丁新		2	2	1.0	1.0