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SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析
SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析
作者:
丁新
叶雪荣
张开新
翟国富
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiC MOSFET
SPICE 1模型
仿真
LTspice
摘要:
SiC MOSFET与Si MOSFET相比,具有耐高压、耐高温、频率快等诸多优点,得到了越来越广泛的应用.SPICE模型作为含SiC MOSFET电路仿真分析的基础,对其进行研究十分必要.以SPICE 1模型为例,介绍了基于LTspice的SiC MOSFET建模流程,通过MOS、体二极管、PCB寄生参数等建模过程,完成了SiC MOSFET SPICE 1模型的建立,并通过仿真分析验证了所建立模型的正确性.
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文献信息
篇名
SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析
来源期刊
电器与能效管理技术
学科
工学
关键词
SiC MOSFET
SPICE 1模型
仿真
LTspice
年,卷(期)
2019,(3)
所属期刊栏目
研究与分析
研究方向
页码范围
25-29,49
页数
6页
分类号
TM46
字数
2431字
语种
中文
DOI
10.16628/j.cnki.2095-8188.2019.03.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
翟国富
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所
280
2576
26.0
34.0
2
叶雪荣
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所
56
265
9.0
13.0
3
张开新
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所
5
5
2.0
2.0
4
丁新
2
2
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研究主题发展历程
节点文献
SiC MOSFET
SPICE 1模型
仿真
LTspice
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电器与能效管理技术
主办单位:
上海电器科学研究所(集团)有限公司
出版周期:
半月刊
ISSN:
2095-8188
CN:
31-2099/TM
开本:
大16开
出版地:
上海市武宁路505号
邮发代号:
4-200
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
6528
总下载数(次)
20
总被引数(次)
27383
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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