退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

• 作者: 任同群 周晨飞 梁军生 王大志 王金鹏
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜铂热电阻 退火工艺 内部应力 灵敏度 线性度
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2019.08.009

摘要

合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数.为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律.结果表明:在500～600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜.所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王大志	大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室	29	41	3.0	5.0
2	梁军生	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	23	53	4.0	6.0
6	周晨飞	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	2	2	1.0	1.0
7	任同群	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	11	28	3.0	5.0
8	王金鹏	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	4	5	2.0	2.0