作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化的主要因素.现有很多方法缓解电路的NBTI效应,如门替换、输入向量控制等.针对两种方法的优缺点,如何避免每种方法的缺点而尽可能地发挥其最大的优势成为研究的重点.
推荐文章
多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应
负偏置温度不稳定性
电路老化
关键门
时延约束
影响因数
门替换
多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应
负偏置温度不稳定性
电路老化
关键门
时延约束
影响因数
门替换
基于循环向量协同优化电路的NBTI效应和泄漏功耗
模型电路可靠性
老化效应
负偏压温度不稳定性
输入向量控制
泄露功耗
部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究
负偏压温度不稳定性
PDSOI
快速测试方法
阈值电压
寿命预测
可靠性
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 缓解由NBTI效应引起的电路老化研究
来源期刊 电脑知识与技术 学科 工学
关键词 NBTI效应 电路老化 门替换 输入向量控制
年,卷(期) 2019,(7) 所属期刊栏目 计算机工程应用技术
研究方向 页码范围 263-264
页数 2页 分类号 TN407
字数 1568字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王威猛 安徽理工大学计算机科学与工程学院 2 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (7)
共引文献  (8)
参考文献  (3)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2005(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2006(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2007(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2010(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2011(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2016(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
NBTI效应
电路老化
门替换
输入向量控制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑知识与技术
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
大16开
安徽省合肥市
26-188
1994
chi
出版文献量(篇)
58241
总下载数(次)
228
总被引数(次)
132128
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导