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AlGaN/GaN HEMT氢气传感器不同温度下响应特性的研究
AlGaN/GaN HEMT氢气传感器不同温度下响应特性的研究
作者:
吴卫东
曹林洪
王雪敏
符亚军
阎大伟
陈金龙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Pt/AlGaN/GaN HEMT
氢气传感器
温度
灵敏度
Langmuir吸附等温线
摘要:
本文制作了栅极为金属Pt的AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器.当外加偏压VGs=-2.5 V时,研究了传感器在不同温度(25-150℃)下对不同氢气浓度(25-900 ppm)的响应特性.研究结果表明:当温度为25℃、氢气浓度为25ppm时,器件响应的灵敏度为65.9%;随着氢气浓度从25增加到900 ppm后,器件灵敏度增加了14%,器件灵敏度与浓度的对数呈线性关系.当温度在25-150℃的区间内,传感器响应的灵敏度随着温度升高而降低,在室温25℃时其响应最佳.此外,通过修正Langmuir吸附等温线建立了传感器响应的理论模型,将实验数据通过理论模型进行拟合,分析了温度对传感器响应的影响.本工作研究的氢气传感器具有优异的响应特性,它可应用于室温氢气检测,具有极高的应用潜力.
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关键词热度
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文献信息
篇名
AlGaN/GaN HEMT氢气传感器不同温度下响应特性的研究
来源期刊
真空科学与技术学报
学科
工学
关键词
Pt/AlGaN/GaN HEMT
氢气传感器
温度
灵敏度
Langmuir吸附等温线
年,卷(期)
2020,(1)
所属期刊栏目
电子器件
研究方向
页码范围
12-16
页数
5页
分类号
TN386
字数
2741字
语种
中文
DOI
10.13922/j.cnki.cjovst.2020.01.03
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吴卫东
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
140
1087
18.0
26.0
2
曹林洪
西南科技大学材料科学与工程学院
38
148
8.0
10.0
3
王雪敏
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
16
26
4.0
5.0
4
陈金龙
西南科技大学材料科学与工程学院
2
0
0.0
0.0
8
阎大伟
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
6
5
2.0
2.0
9
符亚军
西南科技大学材料科学与工程学院
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传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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参考文献
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节点文献
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二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Pt/AlGaN/GaN HEMT
氢气传感器
温度
灵敏度
Langmuir吸附等温线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
主办单位:
中国真空学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
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