一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管

• 作者: 靳晓诗 马恺璐
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 带带隧穿 肖特基势垒MOSFET 隧穿场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 1285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2020.04.001

摘要

提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响.该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体管更低,利用了深肖特基势垒来克服由隧穿产生的电流;通过最大化源漏与硅体接触界面处的正向导通电流,即带带隧穿电流,利用辅助栅电极有效地抑制反向漏电流.和传统SB MOSFET或者JL FETs相比,此器件能实现低亚阈值摆幅、更小的反向偏置GIDL电流、高开关电流比,并使导通电流大于普通的TFET;其对称结构也使其与MOSFET技术更加融合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳晓诗	沈阳工业大学信息科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
2	马恺璐	沈阳工业大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0