200mm硅单晶多线切割工艺及损伤层研究

• 作者: 张贺强 李聪
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 几何参数 损伤层 多线切割
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2353字
• 语种: 中文

摘要

研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析.结果 表明:切割过程中硅片的温度变化及切割线横向振动对几何参数影响较大,480～260 μm/min变速切割200 mm硅片几何参数明显要优于530～400μm/min变速切割工艺;480～260 μm/min变速切割200 mm硅片WARP能达到14.8 μm,BOW能达到4.2μm,TTV能达到10.1 μm,且具有更小的均方差值;多线切割200 mm硅片损伤层只有一个区域,经腐蚀观察可确定单面损伤层厚度在9 μm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李聪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	9	2.0	3.0
2	张贺强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	3	1.0	1.0