基于磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备技术优化及应用

• 作者: 何长安 娄华康 曲兆明 王妍 王庆国 邹俊 郭松茂
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化钒薄膜 退火处理 磁控溅射 晶体生长 卫星设计
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 629-632,589
• 页数: 5页
• 分类号: O649
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.04.020

摘要

将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2 O3陶瓷基片上制备出VX OY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率.对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2 O 5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下生成的薄膜进行X射线衍射仪(XRD)表征和电子显微镜(SEM)观察.研究表明,通过对磁控溅射和真空退火工艺两个过程的控制参数优化设计,实现了高重复性VO2薄膜的制备;薄膜组份均匀性得到了显著改善;退火温度在475℃到525℃区间时可生成相变性能较好的VO2薄膜;退火温度为500℃、退火时间110 min时,薄膜表面晶体结构最好,晶粒大小均匀.实验结果对VO2薄膜高重复性制备及卫星表面应用具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆国	陆军工程大学强电磁场环境模拟与防护技术国防科技重点实验室	5	2	1.0	1.0
2	曲兆明	陆军工程大学强电磁场环境模拟与防护技术国防科技重点实验室	5	2	1.0	1.0