基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀

• 作者: 司朝伟 宁瑾 杨富华 蔡萌 韩国威
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 键合片 深硅刻蚀 氧化铟锡(ITO)掩膜 图形化 刻蚀选择比
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 905-910
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.11.008

摘要

提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺.ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响.对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,结果表明垂直或正锥形台阶的光刻胶剥离工艺制备的ITO薄膜边缘光滑,尺寸误差小,是实现ITO薄膜图形化的理想方式.进一步研究了基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀能力,在硅刻蚀深度达到150 μm时,掩膜只消耗了5.66 nm,刻蚀选择比高达26 500∶1,没有发现微掩膜效应.因此利用ITO掩膜实现键合片的深硅刻蚀,掩膜的生长和图形化都在常温下进行,特别适合基于硅玻璃(SOG)键合刻蚀工艺的MEMS器件制备.