横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证

• 作者: 乔明 何俊卿 杨昆 王睿
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 超结器件 导通电阻Ron,sp 击穿电压VB
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1003

摘要

从超结电荷场对电势场的调制机理出发,以等效衬底模型(ES模型)和理想衬底条件为指导,在横向SOI超结器件中利用电荷补偿的思想得到理想衬底.对于已拥有理想衬底的横向超结器件固定其条宽W,长度LSJ,不断增加超结浓度NSJ,并观察得到的仿真结果,通过计算FOM=VB2/Ron,sp的值发现优质在6× 1016 cm-3掺杂浓度下所对应的击穿电压VB(Voltage-Breakdown)和比导通导通电阻(specific on-resistance Ron,sp)最佳折中关系.利用此思想在0.5 μm工艺平台上通过对不同的超结注入剂量的实验,实现了0.8 μm超结条宽下横向超结器件的最高优值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王睿		12	20	3.0	4.0
2	乔明		35	178	8.0	12.0
3	杨昆		2	4	1.0	2.0
4	何俊卿		2	0	0.0	0.0