具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型

• 作者: 单奇 张冬利 杜孟君 王明湘 王槐生 赵金凤
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 漏端Offset 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 电阻 开态电流模型
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 953-958
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2020.05.001

摘要

本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系.通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO).研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵金凤		1	0	0.0	0.0
2	杜孟君		1	0	0.0	0.0
3	张冬利		1	0	0.0	0.0
4	王槐生		3	2	1.0	1.0
5	单奇		1	0	0.0	0.0
6	王明湘		13	29	4.0	5.0