磁控溅射本底真空度对制备高锰硅的形貌影响

• 作者: 冯磊 张晋敏 潘王衡 王立 肖清泉 谢杰 谢泉 贺腾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高锰硅 磁控溅射 本底真空 锰膜 形貌
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 183-188
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.08.029

摘要

基于当前不同研究者在研究高锰硅过程中选用的本底真空度区间跨度过大的现状,本文以本底真空度为变量,在Si衬底上沉积锰膜,对不同本底真空度下获得的Mn/Si膜同时进行Ar气氛退火处理,退火前后的样品均用SEM对其形貌进行表征,并对结果进行分析,以确定合适的本底真空度参数.结果 表明:在10-3 Pa本底真空度下,退火前薄膜表面的锰粒子会出现明显团聚现象,当本底真空度提高到10-4 Pa量级时,团聚现象得到显著改善.在4×10-3～8×10-4 Pa本底真空度下,锰粒子的分布均匀程度较差.而本底真空度达到7×10-5 Pa时,薄膜表面会出现碎裂的情况.在溅射用于制备高锰硅的锰膜时,建议本底真空度在5.7×10-4～7×10-5 Pa范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	张晋敏		47	261	7.0	15.0
3	肖清泉		40	199	7.0	13.0
4	王立		9	6	2.0	2.0
5	冯磊		6	1	1.0	1.0
6	潘王衡		1	0	0.0	0.0
7	谢杰		1	0	0.0	0.0
8	贺腾		4	0	0.0	0.0