本底真空度对磁控溅射法制备AZO薄膜的影响

• 作者: 常会 邹敏 霍红英 马光强
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 AZO薄膜 本底真空度
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 75-77
• 分类号: TG174.444|O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射方法在平板玻璃基体表面沉积AZO薄膜,研究了本底真空度对薄膜厚度、方块电阻以及在300～1100 nm波长范围内透过率的影响.结果表明:薄膜的方块电阻和透过率随本底真空度的提高而降低,厚度随本底真空度的提高而增加；本底真空度较低时,其变化对薄膜的厚度、方块电阻和透过率的影响较大,随着本底真空度的增加,影响程度逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马光强		28	177	8.0	12.0
2	邹敏		53	359	11.0	16.0
3	霍红英		20	93	5.0	9.0
4	常会		18	58	4.0	7.0