不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究

• 作者: 席善斌 汪鑫 王晨 王金延 裴选
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基HEMT 氢效应 温度
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 实验室特写
• 页码范围: 126-130
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

该文开展不同温度下GaN基HEMT器件氢气效应的试验研究.通过对比不同氢浓度和不同温度条件下器件变化情况,试验发现常温下不同浓度氢气处理对器件电学特性无显著影响.氢气环境对GaN基HEMT器件栅电流影响似乎存在一个75℃～160℃温度区间内阈值温度,在该温度以下栅电流减小,即绝对值增大,在该温度以上则反之,栅反向电流绝对值减小.160℃下高温对比试验发现,氢效应能够削弱该效应,即抑制栅反向电流绝对值的减小.