SiC MOSFET开关损耗测试方法研究

• 作者: 宁圃奇 张少昆 张瑾 曹瀚 李磊 温旭辉 范涛 郑丹
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 开关损耗 延时补偿 振荡
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 2975-2982
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文
• DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.190716

摘要

准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET开关特性、优化驱动电路、降低损耗的前提.由于SiC MOSFET具有较高的开关速度,传统的双脉冲测试方法存在测量延时、高频振荡等问题,导致损耗评估这一在Si IGBT时期并不严重的问题在SiC时代更加凸显.该文首先对理想开关过程进行分析,提出一种由开关时序特征来校准测量延时的方法,并考虑到实际开关过程中寄生参数的影响,对延时校准方法进行改进;其次分析开关暂态过程中的高频振荡,提出一种计算高频振荡产生附加开关损耗的方法,在保证器件安全的前提下,通过综合开关损耗最优原则对驱动电路参数进行筛选;最后以一款自主封装的全SiC MOSFET功率模块为例,对测试方法进行评估验证,设计结果应用于一款车用驱动控制器,和相同功率等级的Si IGBT控制器进行测试对比,证明文中方法的正确性和实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑾	中国科学院电工研究所	30	330	11.0	17.0
2	李磊	中国科学院电工研究所	142	2447	19.0	47.0
3	温旭辉	中国科学院电工研究所	84	2080	28.0	43.0
4	郑丹	中国科学院电工研究所	20	167	9.0	12.0
5	范涛	中国科学院电工研究所	26	159	6.0	12.0
6	宁圃奇	中国科学院电工研究所	46	1	1.0	1.0
7	张少昆	中国科学院电工研究所	3	0	0.0	0.0
8	曹瀚	中国科学院电工研究所	2	0	0.0	0.0