溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 岳廷峰 高晓红 刘建文 付钰 孟冰
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 关键词: MgZnO薄膜晶体管 溅射功率 Mg掺杂量
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 信息科技|Information science & technology
• 页码范围: 79-83
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0185.2021.01.015

摘要

本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×107,阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×1012 cm-2·eV-1,所占的的原子百分比(at.％)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.