抗辐射封装加固器件典型失效模式

• 作者: 赵鹤然 王吉强 李靖旸 康敏 孔明
• 来源期刊: 微处理机
• 关键词: 屏蔽 封装加固 抗辐射 总剂量效应 电子辐射
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用|Large Scale Integrated Circuit Design,Manufacture and Application
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2021.02.003

摘要

封装屏蔽是抗辐射加固技术领域的重要分支,相比于芯片的设计加固和工艺加固,具有成本低、周期短、难度小等优势,可根据集成电路应用时所处的辐射环境,选择相应的屏蔽材料实现有针对性的封装加固.基于复合金属材料屏蔽原理,提出一种一体化的抗辐射封装结构及其制备方法.屏蔽涂层制备具有涂覆精准、结合稳定,厚度可调节、成分可掺杂等特点.通过对一体化屏蔽封装开展FMEA分析,归纳总结制备过程中的典型失效模式,并根据严重度、频度和探测度,计算出风险系数RPN值,最终提出应对措施.