化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究

• 作者: 李紫琪 赵培 刘莎 陈志杰 李哲成 潘天宇
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 关键词: 碳化铬薄膜 化学气相沉积 三(2,2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化铬 沉积温度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程|Materials Science and Engineering
• 页码范围: 181-186,191
• 页数: 7页
• 分类号: TG144
• 语种: 中文
• DOI: 10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202011021

摘要

以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al2O3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr3C2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1200 s.研究了不同沉积温度对Cr3C2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响.结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr3C2薄膜.随着沉积温度的升高,Cr3C2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大.在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr3C2薄膜.同时,在实验条件下Cr3C2薄膜表面存在少量的碳和Cr2O3.