MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性

• 作者: 何荣华
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: Power MOSFET 多脉冲UIS 器件退化 集成电路 汽车电子
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2021.02.005

摘要

阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义.