基于改进水热法的Ga2O3纳米棒制备及表征

• 作者: 刘英英 陈海峰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 水热法 单晶硅 蓝宝石 Ga2O3籽晶层 β-Ga2O3纳米棒
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Pevelopment
• 页码范围: 468-473
• 页数: 6页
• 分类号: TB302
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1853

摘要

采用改进的水热法对衬底进行预处理,分别在单晶硅Si(111)和蓝宝石C(0001)衬底上生长一层Ga2O3籽晶层.籽晶层退火处理后放入Ga2(NO3)3溶液高压反应釜内进行水热反应,待反应结束进行二次退火,成功制备出了Ga2 O3纳米棒.研究了不同温度对籽晶层和Ga2 O3纳米棒的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等对样品进行表征.结果表明:生长β-Ga2O3纳米棒的最佳衬底是蓝宝石C(0001),籽晶层的最佳生长温度为900℃;在籽晶层引导下β-Ga2O3纳米棒向β(201)、β(402)、β(603)三个晶面生长,且随温度升高,结晶质量提高.最后,讨论了纳米棒的形成机理及所需环境.