AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 胡小强 杨小天 李慧 李博 胡伟涛 雷明洲
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: AZTO 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 信息科技|Information science & technology
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0185.2021.06.015

摘要

随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的AZTO有源层.结果 表明,随着有源层厚度增加,器件开关比减小,透光率下降,AZTO有源层厚度为52.5 nm时具有最高的开关比(1×106)和最高的光学透过率(97％).