有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 吴捷 门传玲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟镓锌 薄膜晶体管 有源层厚度 迁移率 氧空位 稳定性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 字数: 3617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.06.009

摘要

使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大.此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响.有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大.这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	门传玲	上海理工大学能源与动力工程学院	19	35	3.0	5.0
2	吴捷	上海理工大学能源与动力工程学院	1	0	0.0	0.0