超短波低噪声放大器的设计

• 作者: 张博 肖宝玉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 高线性度 有源偏置 共源共栅结构 低噪声放大器 输出三阶交调点
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Pevelopment
• 页码范围: 474-478
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1651

摘要

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10～1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器.该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作.仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm.