4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

• 作者: 张玉明 袁昊 汤晓燕 宋庆文 何艳静 李东洵 白志强
• 来源期刊: 科技导报
• 关键词: 4H-SiC 二极管 MOSFET
• 年，卷（期）: 2021,（14）
• 所属期刊栏目: 专题:第三代半导体的创新发展|Exclusive:Innovation and development of the third generation semiconductor
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势.近年来随着器件的逐步商用,器件的可靠性问题成为新的研究热点.综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展,通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究,分析了器件性能退化机制.通过重复雪崩可靠性问题的研究,提出了一种可有效提升器件抗重复雪崩能力的终端方案.