退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响

• 作者: 周伟佳 龚晓霞 陈冬琼 肖婷婷 尚发兰 杨文运
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化铟 C-V特性 金属化后退火 原子层沉积
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件|MATERIALS & DEVICES
• 页码范围: 351-356
• 页数: 6页
• 分类号: TN213
• 语种: 中文

摘要

采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al2O3介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小.同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al2O3介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素.实验证明了200℃～300℃的退火处理可有效改善InSb/Al2O3界面质量.