氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响

• 作者: 池铭浩 翁卫祥 李强
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO靶材 相含量 电阻率 Rietveld法精修
• 年，卷（期）: 2022,（5）
• 所属期刊栏目: 无机非金属及其复合材料|INORGANIC MATERIALS AND CERAMIC MATRIX COMPOSITES
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TF124
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/cldb.20120167

摘要

采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对ITO靶材的物相组成以及微观组织形貌进行表征,运用Rietveld法对样品XRD数据进行结构精修以计算其相含量.研究结果表明:靶材均由主相(In2 O3相)以及第二相(In4 Sn3 O12相)组成.当氧气流量由40 L/min提高到160 L/min时,第二相含量由19.82％(质量分数,下同)逐渐增加到25.83％;当保温时间由6 h延长到12 h时,第二相含量由19.79％逐渐增加到31.27％.对不同氧气流量以及烧结保温时间下所制备的样品进行相对密度以及电阻率测定,结果表明,靶材密度是影响其电阻率的最主要因素,靶材的电阻率随着密度的增加而降低.靶材密度相近时,靶材相含量对其电学性能有较大的影响,此时靶材的电阻率随着第二相含量的增加而增大.