半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
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  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  26-27
    摘要: 【正】这项研究得到了陆军研究办公室多学科大学研究倡议,半导体技术先进研究网络功能加速纳米材料工程分部、微电子先进研究协会、国防高级研究计划局、荷兰科学研究组织、罗伯特A.韦尔奇基金会、国家安...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  28-28
    摘要: 【正】RFaxis公司副总裁钱永喜认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代"该结束"了,纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰消费电子的时...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  29-30
    摘要: 【正】2015年由移动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;移动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Leve...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  30-31
    摘要: 【正】依据KPMG对全球主要半导体公司的高层主管所做的调查结果显示,约有81%的受访者预期2015年的营业额将有成长,但与去年的调查相比,预期营业额成长率却呈现降低的趋势,有更多的受访者认为...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  31-32
    摘要: 【正】美国市场研究公司Gartner近日发布研究报告称,2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元,较2014年增长5.4%,但仍然低于之前5.8%的增长预期。半导体市场的增长动力包...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  32-33
    摘要: 【正】研究机构IHS近日发布调查报告,估计2014年全球半导体营收可达3532亿美元,同比增长9.4%。这是近几年来半导体市场的最好的表现。2015年是否仍能延续这一走势,是从业者都十分关心...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  33-34
    摘要: 【正】2015年将真正成为中国的MEMS应用元年,新一轮的应用将主导市场。在MEMS领域,国内企业一直将注意力放在芯片设计上,却忽视了应用才是对接市场最重要的地方。无人机就是MEMS全新的应...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  34-35
    摘要: 【正】根据市场研究公司Yole Developpement最新的调查报告显示,过去几年来,高性能的陀螺仪与惯性测量单元(IMU)市场已经逐渐发生变化了,预期全球市场将在短期内看到更强劲的成长...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  35-36
    摘要: 【正】全球微机电(Micro Electro Mechanical System;MEMS)前两大厂博世(Robert Bosch)与意法半导体(STMicroelectronics)于物联...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  36-38
    摘要: 【正】从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  36-36
    摘要: 【正】近日,国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。据悉,宽禁带...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  38-39
    摘要: 【正】市场调查机构IC Insights今天公布2014年全球半导体企业50强排行榜,美商英特尔排名第1,南韩三星电子排名第2,台湾积体电路公司排名第3,销售额增幅在前10名企业居冠。台湾积...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  39-40
    摘要: 【正】全球半导体大厂为维持领先地位,布局中长期的技术投资不手软!2014年研发费用排名前十大的半导体厂,合计总研发费用高达318亿美元,约新台币9,601亿元,较前一年度成长11%。市调单位...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年1期
    页码:  41-44
    摘要: 【正】超薄超轻型飞机、超薄可折叠手机、太空电梯……被誉为"21世纪神奇材料"的石墨烯以其神奇特性承载着人们的无数想象。世界主要国家均高度重视发展石墨烯相关产业,期待它带来巨大的市场价值。英国...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  1-2
    摘要: 【正】相比惯用的5年规划,这一次,中央层面为中国制造业规划了10年。3月25日,国务院总理李克强主持召开国务院常务会议,部署加快推进实施"中国制造2025",实现制造业升级。顾名思义,这一规...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  2-3
    摘要: 【正】近日,工信部正式启动2015年工业强基专项行动和2015年智能制造试点示范专项行动。在对外发布的《2015年工业强基专项行动实施方案》指出,通过10年左右的努力,力争实现70%的核心基...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  3-4
    摘要: 【正】美国科瑞公司日前推出一种工作频率范围为6~12GHz的25W氮化镓单片微波集成电路。利用氮化镓技术的固有特性,新型单片微波集成电路具有极宽的带宽和瞬态宽带性能,可用于替代行波管放大器,...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  4-5
    摘要: 【正】2015年3月12日,麦瑞半导体公司发布Intelli MOSTM功率级系列MIC4520/MIC4521,该系列采用紧凑型4mm×6mm TQFN封装,供应电流高达20A。MIC45...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  5-6
    摘要: 【正】英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  6-6
    摘要: 【正】中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  7-7
    摘要: 【正】LED磊晶大厂晶电发表最新技术,概念灯泡的电源模组采用硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率半导体,可将电源模组体积大幅缩小75%。如果量产成功,晶电将从LED领域跨足功率半导体,拉出市...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  7-8
    摘要: 【正】推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),和功率转换器专家Transphorm,先前宣布双方建立了合作关系,把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场,宣布推出联...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  8-9
    摘要: 【正】近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的Ga...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  9-11
    摘要: 【正】英飞凌科技股份公司日前宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台,包括服务器、电信设备、移动电源等开...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  11-11
    摘要: 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布新的8mm×8mm×1.8mm PowerPAK?8×8L封装40V TrenchFET?功率MOSFET-SQJ...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  12-13
    摘要: 【正】全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild日前推出800V SuperFET?IIMOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  12-12
    摘要: 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  13-15
    摘要: 【正】全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild正在满足车辆制造商和零配件供应商的高级需求,其新的SuperFET?II MOSFET和高压整流器产品系列有助于打造更清洁、更...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  15-16
    摘要: 【正】英飞凌科技股份公司发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650VIGBT系列。该系列TRENCHSTOPTM5AUTO IGBT符合AEC-Q标准,可降低诸如车载充电...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  15-15
    摘要: 【正】飞思卡尔半导体日前推出了业界最高射频功率的塑封晶体管。新款MRFE6VP61K25N提供的功率超过1250W CW,而新款MRFE6VP6600N提供的功率超过600W。飞思卡尔的塑料...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
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邮编 210016 电子邮箱 bdxx@chinajournal.net.cn
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